- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373065 > K4S161622E (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1M x 16 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622E |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | K4S161622E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
CMOS SDRAM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
Write
(A-Bank)
tRDL
Precharge
(Both Banks)
tCDL
Write
(B-Bank)
*Note 1
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
RAa
CAa
CBb
CAc
CBd
RAa
*Note 2
DAa0
DAa1 DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2 DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
RBb
RBb
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC80 | 1M x 16 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622ETC60 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW |
| K4S161622E-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。