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JAN1N6620U

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  • 型號
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • JAN1N6620U
    JAN1N6620U

    JAN1N6620U

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N6620US
    JAN1N6620US

    JAN1N6620US

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 27

  • Microsemi HI-REL [MIL]

  • 2016+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • JAN1N6620US
    JAN1N6620US

    JAN1N6620US

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
JAN1N6620U PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • A_SQ._MELF SD - Bulk
JAN1N6620U 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6620 功能描述:Diode Standard 220V 2A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 220V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N649-1 功能描述:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/240 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6490US 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/406 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6490 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6485US 功能描述:Zener Diode 3.3V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/406 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6623US JAN1N6624 JAN1N6624U JAN1N6624US JAN1N6625 JAN1N6625U JAN1N6625US JAN1N6626 JAN1N6626U JAN1N6626US JAN1N6627 JAN1N6627U JAN1N6627US JAN1N6628 JAN1N6628U JAN1N6628US JAN1N6629 JAN1N6629U
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