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JAN1N6626U

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  • JAN1N6626U/TR
    JAN1N6626U/TR

    JAN1N6626U/TR

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N6626U
    JAN1N6626U

    JAN1N6626U

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • MICROSEMI/美高森美

  • SQ-MELF

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • JAN1N6626U
    JAN1N6626U

    JAN1N6626U

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯(lián)系人:鄭小姐

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10245

  • MICROSEMI/美高森美

  • SQ-MELF

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨,支持BOM表配單

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JAN1N6626U PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED SMD ULTRA FAST RECOVERY GLASS R - Bulk
JAN1N6626U 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6626 功能描述:Diode Standard 220V 1.75A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.35V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 220V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6625US 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6625U 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 JAN1N6625 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6624US 功能描述:Diode Standard 990V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):990V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 990V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6629US JAN1N6630 JAN1N6630U JAN1N6630US JAN1N6631 JAN1N6631U JAN1N6631US JAN1N6638 JAN1N6638U JAN1N6638US JAN1N6639 JAN1N6639US JAN1N6640 JAN1N6640US JAN1N6641 JAN1N6641US JAN1N6642 JAN1N6642U
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