JAN1N6626U

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

JAN1N6626U
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
MICROSEMI/美高森美
SQ-MELF
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

JAN1N6626U/TR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED SMD ULTRA FAST RECOVERY GLASS R - Bulk

JAN1N6626U 技術(shù)參數(shù)

JAN1N6626 功能描述:Diode Standard 220V 1.75A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 220V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6625US 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6625U 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 JAN1N6625 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6624US 功能描述:Diode Standard 990V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:990V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 990V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6629US JAN1N6630 JAN1N6630U JAN1N6630US JAN1N6631 JAN1N6631U JAN1N6631US JAN1N6638 JAN1N6638U JAN1N6638US JAN1N6639 JAN1N6639US JAN1N6640 JAN1N6640US JAN1N6641 JAN1N6641US JAN1N6642 JAN1N6642U