JAN1N6631U

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型號(hào)
供應(yīng)商
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封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

JAN1N6631U/TR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

JAN1N6631US
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫(kù)存F

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
E_SQ._MELF SD - Bulk

JAN1N6631U 技術(shù)參數(shù)

JAN1N6631 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6630US 功能描述:Diode Standard 900V 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 900V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6630U 功能描述:Diode Standard 900V 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 900V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 JAN1N6630 功能描述:Diode Standard 900V 1.4A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 900V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6629US 功能描述:Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 880V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6641US JAN1N6642 JAN1N6642U JAN1N6642UB JAN1N6642UB2 JAN1N6642UB2R JAN1N6642UBCA JAN1N6642UBCC JAN1N6642UBD JAN1N6642US JAN1N6643 JAN1N6643U JAN1N6643US JAN1N6660 JAN1N6660CAT1 JAN1N6660CCT1 JAN1N6660DT1 JAN1N6661US