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JAN1N6624U

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  • JAN1N6624U/TR
    JAN1N6624U/TR

    JAN1N6624U/TR

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產品

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • A_SQ._MELF SD - Bulk
JAN1N6624U 技術參數
  • JAN1N6624 功能描述:Diode Standard 900V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):900V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 900V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6623US 功能描述:Diode Standard 880V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):880V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 880V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6623U 功能描述:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 JAN1N6623 功能描述:Diode Standard 800V 1A Through Hole A-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6622US 功能描述:Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/585 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):660V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 660V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6627US JAN1N6628 JAN1N6628U JAN1N6628US JAN1N6629 JAN1N6629U JAN1N6629US JAN1N6630 JAN1N6630U JAN1N6630US JAN1N6631 JAN1N6631U JAN1N6631US JAN1N6638 JAN1N6638U JAN1N6638US JAN1N6639 JAN1N6639US
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