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JAN1N649-1

配單專家企業(yè)名單
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  • JAN1N649-1
    JAN1N649-1

    JAN1N649-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N649-1
    JAN1N649-1

    JAN1N649-1

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 100

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -
  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • JAN1N649-1
    JAN1N649-1

    JAN1N649-1

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TI

  • SOP14

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢!

  • JAN1N649-1
    JAN1N649-1

    JAN1N649-1

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9894

  • MSC

  • 05+

  • -
  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • JAN1N649-1
    JAN1N649-1

    JAN1N649-1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 600V 0.4A 2-Pin DO-35
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 600V 0.4A 2PIN DO-35 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Diode Switching 600V 0.4A 2-Pin DO-35
JAN1N649-1 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6490US 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/406 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6490 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6485US 功能描述:Zener Diode 3.3V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/406 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6476US 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/552 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):51.6V 電壓 - 擊穿(最小值):54V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):107A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,G 供應(yīng)商器件封裝:G-MELF(D-5C) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6476 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/552 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):51.6V 電壓 - 擊穿(最小值):54V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):107A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:G,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6622U JAN1N6622US JAN1N6623 JAN1N6623U JAN1N6623US JAN1N6624 JAN1N6624U JAN1N6624US JAN1N6625 JAN1N6625U JAN1N6625US JAN1N6626 JAN1N6626U JAN1N6626US JAN1N6627 JAN1N6627U JAN1N6627US JAN1N6628
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