參數(shù)資料
型號： IXTH67N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 32-Bit Microcontroller IC; Controller Family/Series:(ARM9); Memory Size, RAM:16MB; No. of I/O Pins:24; No. of PWM Channels:1; Clock Speed:200MHz; Interface:AC97, I2S, SPI, UART, USB; Package/Case:208-LQFP; A/D Converter:12 Bits RoHS Compliant: Yes
中文描述： 67 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： IXTH67N10
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTH 67N10
IXTM 67N10
IXTH 75N10
IXTM 75N10
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
S
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
D=0.2
D=0.02
D=0.01
D=0.5
D=0.1
D=0.05
Single pulse
C
oss
C
iss
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
V
DS
= 50V
I
D
= 37.5A
I
G
= 1mA
Limited by R
DS(on)
C
rss
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
f = 1MHz
V
DS
= 25V
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH75N10 IC ARM920T MCU 200MHZ 272-TFBGA
IXTN36N50 N-Channel Enhancement Mode
IXTP01N100D High Voltage MOSFET
IXTP05N100 High Voltage MOSFET
IXTP10N60PM PolarHV Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH67N10MA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N10MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH68N20 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET
IXTH68P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH6N100D2 功能描述:MOSFET 6Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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