參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP01N100D
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MOSFET
中文描述： 0.1 A, 1000 V, 110 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AD
封裝： TO-220AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： IXTP01N100D
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GS
= 1 M
Continuous
Transient
1000
1000
V
V
±
20
±
30
V
V
T
C
= 25
°
C;T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
C
= 25
°
C, pulse width limited by T
J
100
400
mA
mA
P
D
T
C
= 25
°
C
T
A
= 25
°
C
25
1.1
W
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
T
L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
°
C
Weight
1
g
High Voltage MOSFET
D (TAB)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
DSS
V
GS(off)
V
GS
= -10 V, I
D
= 25
μ
A
V
DS
= 25V, I
D
= 25
μ
A
1000
-2.5
V
V
-5
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
DC
, V
DS
= 0
±
100
nA
I
DSS(off)
V
DS
= V
DSS
,
V
GS
= -10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
10
μ
A
μ
A
250
R
DS(on)
V
GS
=
0 V
, I
D
= 50 mA
Note 1
90
110
I
D(on)
V
GS
= 0 V, V
DS
= 50V Note 1
250
mA
98809A (12/01)
GDS
TO-220AB (IXTP)
2001 IXYS All rights reserved
N-Channel, Depletion Mode
IXTP 01N100D
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 110
= 1000
= 100 mA
V
Features
Normally ON mode
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching speed
Applications
Level shifting
Triggers
Solid state relays
Current regulators
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTP05N100 High Voltage MOSFET
IXTP10N60PM PolarHV Power MOSFET
IXTP2N60P PolarHV Power MOSFET
IXTY2N60P PolarHV Power MOSFET
IXTQ140N10P PolarHT⑩ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP02N120P 功能描述:MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP02N50D 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP05N100 功能描述:MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP05N100M 功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP05N100P 功能描述:MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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