參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT60N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 586K
代理商： IXGT60N60C2
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 60N60C2
IXGT 60N60C2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1
15
2
2.5
V
CE
- Volts
3
3.5
4
4.5
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
9V
5V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
V
CE
- Volts
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
V
CE
- Volts
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 6. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
3.5
4
4.5
5
5.5
V
GE
- Volts
6
6.5
7
7.5
8
8.5
I
C
T
J
= 125
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
11
12
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
V
C
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
G E
= 15V
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
1
15
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
- Volts
V
C
T
J
= 25
o
C
I
C
= 100A
50A
25A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXGK60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
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IXGX120N60B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT60N60C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT64N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
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IXGT6N170A 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700 V 7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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