參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK60N60
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Low VCE(sat) IGBT
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： IXGK60N60
1 - 4
2000 IXYS All rights reserved
TO-247 AD (IXGH)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 1.7 V
= 600 V
= 75 A
GC
E
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C, limited by leads
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 10
Clamped inductive load, L = 30 H
75
60
200
A
A
A
I
= 100
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
T
C
= 25 C
300
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
Mounting torque (M3)
1.13/10
Nm/lb.in.
300
C
Weight
TO-247
TO-264
TO-268
6
g
g
g
10
4
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
CE
= V
GE
600
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
200
A
1
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
1.7
V
Features
International standard package
JEDEC TO-247 AD, TO-264, TO-268
New generation HDMOS
TM
process
Low V
for minimum on-state
conduction losses
High current handling capability
MOS Gate turn-on drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
Low losses, high efficiency
High power density
High power, surface mount package
92796L (7/00)
Ultra-Low V
CE(sat)
IGBT
TO-268
(IXGT)
(TAB)
G
E
TO-264 (IXGK)
S
G
D
D (TAB)
IXGH 60N60
IXGK 60N60
IXGT 60N60
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGJ50N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGK120N60B HiPerFAST IGBT
IXGX120N60B HiPerFAST IGBT
IXGK35N120C HiPerFAST IGBT
IXGK35N120CD1 HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK60N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT w/ Diode 600V 60A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK64N60B3D1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK72N60A3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK72N60B3H1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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