參數(shù)資料
型號： IXGK60N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Low VCE(sat) IGBT
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IXGK60N60
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
10
20
30
40
C
10
100
1000
10000
Q
G
- nanocoulombs
0
50
100
150
200
250
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
10
12
14
16
18
t
f
200
400
600
800
1000
T
J
= 125
°
C
I
C
= 60A
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
120
E
o
0
10
20
30
40
t
f
0
250
500
750
1000
V
CE
= 300V
I
C
= 60A
tfi
E
off
tfi
E
off
Cies
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
Fig. 8. Dependence of tfi and E
OFF
on R
G
.
Fig. 7. Dependence of tfi and E
OFF
on I
C
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Junction Capacitance Curves
IXGH 60N60
IXGK 60N60
IXGT 60N60
相關PDF資料
PDF描述
IXGJ50N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGK120N60B HiPerFAST IGBT
IXGX120N60B HiPerFAST IGBT
IXGK35N120C HiPerFAST IGBT
IXGK35N120CD1 HiPerFAST IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK60N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT w/ Diode 600V 60A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK64N60B3D1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK72N60A3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK72N60B3H1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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