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參數(shù)資料
| 型號： | IXGJ50N60B |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | LEADED TO-268, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | IXGJ50N60B |
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Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
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V
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GES
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(RBSOA)
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Weight
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Symbol
Test Conditions
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HiPerFAST
TM
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Features
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Applications
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Advantages
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Preliminary data sheet
IXGJ 50N60B
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q^_=Z=aê~á
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d
a
p
TO-268 LEADED
(I3) (IXGJ)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGK120N60B | HiPerFAST IGBT |
| IXGX120N60B | HiPerFAST IGBT |
| IXGK35N120C | HiPerFAST IGBT |
| IXGK35N120CD1 | HiPerFAST IGBT |
| IXGX35N120C | HiPerFAST IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGK100N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK120N120A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK120N120B3 | 功能描述:IGBT 晶體管 200Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK120N60A3 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 A3-Class IGBTS |
| IXGK120N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 76 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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