- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383199 > IXGJ50N60B (IXYS CORP) HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXGJ50N60B |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | LEADED TO-268, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | IXGJ50N60B |
fuvp=jlpcbqp=~=fd_q=~êé=éêé=ó=é=ê=êé==íüé=á=rKpK=é~íéíW
QIUPRIRVO
QIURMIMTO
QIUUNINMS
QIVPNIUQQ
RIMNTIRMU
RIMPQITVS
RIMQVIVSN
RIMSPIPMT
RINUTINNT
RIOPTIQUN
RIQUSITNR
RIPUNIMOR
fuvp=êééêé=íüé=êáüí=í=ü~é=ááíI=íéí=áíáI==~==áéáK
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Eq
g
=Z=OR
°
`I=ìé=íüéêáé=ééááéF
min.
typ.
max.
g
fs
f
`
mìé=íéíI=í=
≤
=PMM=
μ
I=ìíó=óé=
≤
=O=B
Z=f
`VM
X=s
`b
=Z=NM=sI
OR
PR
p
C
ies
C
oes
C
res
QMMM
éc
s
`b
=Z=OR=sI=s
db
=Z=M=sI==Z=N=jeò
OQM
éc
NMM
éc
Q
g
Q
ge
Q
gc
NNM
NUM
`
f
`=====
=Z=f
`VM
I=s
db
=Z=NR=sI=s
`b
=Z=MKR=s
`bp
PM
RM
`
QM
NMM
`
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
RM
RM
OMM
PMM
NRM
OTM
PKM
SKM
g
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
RM
RM
O
g
OUM
ORM
QKO
g
R
thJC
R
thCK
MKSO hLt
qlJOQT
MKOR
hLt
Inductive load, T
J
= 25
°
C
f
`
=====Z=f
`VM
I=s
db
=Z=NR=sI=i=Z=NMM=
μ
eI
s
`b
==Z=MKU=s
`bp
I=o
d
=Z=o
=Z=QKT=
oé~êaW=páíüá=íáé=~ó=áêé~é=ê
s
`b
=E`~éF=[=MKU=9=s
`bp
I=üáüéê=q
g
=ê
áêé~é=o
d
Inductive load, T
J
= 125
°
C
f
`
=====Z=f
`VM
I=s
db
=Z=NR=sI=i=Z=NMM=
μ
e
s
`b
==Z=MKU=s
`bp
I=o
d
=Z=o
=Z=QKT=
oé~êaW=páíüá=íáé=~ó=áêé~é=ê
s
`b
=E`~éF=[=MKU=9=s
`bp
I=üáüéê=q
g
=ê
áêé~é=o
d
IXGJ 50N60B
==
TO-268 Outline
aáK
====füé
já
==jááéíéê
já
j~
j~
^
^N
KNVP
KNMS
KOMN
KNNQ
QKVM
OKTM
RKNM
OKVM
O
KMQR
KMTR
KMRT
KMUP
NKNR
NKVM
NKQR
OKNM
`
`O
KMNS
KMRT
KMOS
KMSP
KMQM
NKQR
KMSR
NKSM
a
aN
KRQP
KQUU
KRRN
KRMM
NPKUM NQKMM
NOKQM NOKTM
b
bN
é
KSOQ
KROQ
KONR=_p`
KSPO
KRPR
NRKUR NSKMR
NPKPM NPKSM
RKQR=_p`
e
NKPSR
NKPVR PQKST PRKQP
i
iN
iO
KTUM
KMTV
KMPV
KUMM
KMVN
KMQR
NVKUN OMKPO
OKMM
NKMM
OKPM
NKNR
^=éí~=~êé~=~êé
éê=é~íé
N=J=~íé
O=J=ê~á=EéíêF
P=J=ìêé=EéáííéêF
Q=J=ê~á=EéíêF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGK120N60B | HiPerFAST IGBT |
| IXGX120N60B | HiPerFAST IGBT |
| IXGK35N120C | HiPerFAST IGBT |
| IXGK35N120CD1 | HiPerFAST IGBT |
| IXGX35N120C | HiPerFAST IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGK100N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK120N120A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK120N120B3 | 功能描述:IGBT 晶體管 200Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK120N60A3 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 A3-Class IGBTS |
| IXGK120N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 76 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。