參數(shù)資料
型號(hào)： IXGX35N120C
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 136K
代理商： IXGX35N120C
2002 IXYS All rights reserved
HiPerFAST
TM
IGBT
Preliminary Data Sheet
V
CES
= 1200 V
I
C25
= 70 A
V
CE(sat)
= 4.0 V
t
fi(typ)
= 115 ns
IXGK 35N120C
IXGX 35N120C
IXGK 35N120CD1
IXGX 35N120CD1
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Features
●
International standard packages
JEDEC TO-264 and PLUS247
TM
●
Low switching losses, low V
(sat)
●
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
●
AC motor speed control
●
DC servo and robot drives
●
DC choppers
●
Uninterruptible power supplies
(UPS)
●
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
●
High power density
●
Easy to mount with 1 screw,
(isolated mounting screw hole)
DS98961 (10/02)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 1 mA, V
= 0 V
= 750
μ
A, V
CE
= V
GE
1200
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
250
μ
A
mA
5
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
4.0
V
V
T
J
= 125
°
C
3.2
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
1200
V
1200
V
V
GES
V
GEM
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
G
= 5
Clamped inductive load
70
A
35
A
140
A
SSOA
(RBSOA)
I
= 90
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
T
C
= 25
°
C
350
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Maximum Lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
M
d
Mounting torque (M3) (IXGK)
1.13/10Nm/lb.in.
Weight
TO-264 AA
PLUS247
TM
10
g
g
6
TO-264 AA (IXGK)
(D1)
G
E
C (TAB)
GC
E
C (TAB)
C
●
Spring clip or clamp assembly
possible.
PLUS 247
TM
(IXGX)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX35N120CD1 HiPerFAST IGBT
IXGK50N50BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60AU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60C2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGX35N120CD1 功能描述:IGBT 70A 1200V PLUS247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGX400N30A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX40N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX40N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX50N120C3H1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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