參數(shù)資料
型號： IXGP12N100AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT - Combi Pack
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXGP12N100AU1
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
g
fs
I
C
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
6
10
S
Q
g
Q
ge
Q
gc
65
90
20
45
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
8
24
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
100
200
850
500
800
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
1000
700
1000
12N100A
12N100
12N100A
E
off
4
6
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
200
1.1
900
950
1250
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
12N100A
12N100
12N100A
12N100
E
off
8
10
R
thJC
R
thCK
1.25
K/W
K/W
0.25
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 120
Remarks: Switching times may
increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 120
Remarks: Switching times may
increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Reverse Diode (FRED)
(T
= 25 C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
V
F
I
F
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
=8A, V
GE
= 0 V,
2.75
V
I
RM
t
rr
I
F
V
R
= 100 V, T
J
= 125 C
I
F
= 1 A, -di/dt = 50 A/ s, V
R
= 30 V T
J
= 25 C
= I
C90
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ s
6.5
140
50
A
ns
ns
60
R
thJC
2.5
K/W
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
IXGA12N100U1
IXGA12N100AU1
IXGP12N100U1
IXGP12N100AU1
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA12N100 IGBT
IXGA12N100A IGBT
IXGA12N60B HiPerFAST IGBT
IXGP12N60B HiPerFAST IGBT
IXGA12N60CD1 Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP12N100U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT - Combi Pack
IXGP12N120A2 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N120A3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGP12N60B 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N60C 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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