參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA12N100A
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 51K
代理商： IXGA12N100A
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Typ.
Min.
Max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 3 mA, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
GE
= V
GE
1000
2.5
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= 0.8, V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
250
A
1
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
CE90
, V
GE
= 15
12N100
12N100A
3.5
4.0
V
V
IGBT
Preliminary Data Sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
T
J
= 25 C to 150 C
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
1000
1000
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
20
30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
T
C
T
C
= 25 C
= 90 C
= 25 C, 1 ms
24
12
48
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125 C, R
G
= 150
Clamped inductive load, L = 300 H
I
CM
= 24
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25 C
100
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
M
d
Mounting torque with screw M3
Mounting torque with screw M3.5
0.45/4 Nm/lb.in.
0.55/5 Nm/lb.in.
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
4
g
C
300
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
IXGA/IXGP12N100
IXGA/IXGP12N100A
1000 V
1000 V
24 A
24 A
3.5 V
4.0 V
95591A (3/97)
Features
International standard packages
JEDEC TO-220AB and TO-263AA
Second generation HDMOS
TM
process
Low V
CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with one screw
Reduces assembly time and cost
High power density
GCE
TO-220AB (IXGP)
G
E
TO-263 (IXGA)
C (TAB)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA12N60B HiPerFAST IGBT
IXGP12N60B HiPerFAST IGBT
IXGA12N60CD1 Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA12N60C HiPerFAST IGBT
IXGA15N100C Lightspeed Series IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為3.5V的絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA12N100AU1 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:IGBT - Combi Pack
IXGA12N100U1 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:IGBT - Combi Pack
IXGA12N120A2 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 1200V, 12A IGBT; G Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60B 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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