參數(shù)資料
型號： IXGH10N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 4/6頁
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代理商： IXGH10N60U1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH10N60U1
IXGH10N60AU1
Pulse Width - Seconds
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T
0.01
0.10
1.00
D=0.1
D=0.2
I
C
= 10A
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.01
0.1
1
10
100
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
C
res
C
oes
I
G
= 10mA
V
CE
=
480V
T
J
= 125°C
dV/dt < 3V/ns
Single Pulse
Total Gate Charge - (nC)
0
10
20
30
40
50
V
G
1
3
5
7
9
11
13
15
C
ies
f = 1MHz
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D=0.5
Fig.7 Gate Charge
Fig.8 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.10 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH10N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
IXGH12N100 Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGH12N100U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGH12N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGH12N60BD1 HiPerFAST IGBT(VDSS為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH120N30B3 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH120N30C3 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH12N100 功能描述:IGBT 晶體管 24Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH12N100A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD
IXGH12N100AS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
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