參數(shù)資料
型號： IXGA20N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： TO-263AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXGA20N120
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
TO-263 AA Outline
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
Bottom Side
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A1
4.06
2.03
4.83
2.79
.160
.080
.190
.110
b
b2
0.51
1.14
0.99
1.40
.020
.045
.039
.055
c
c2
0.46
1.14
0.74
1.40
.018
.045
.029
.055
D
D1
8.64
7.11
9.65
8.13
.340
.280
.380
.320
E
E1
e
9.65
6.86
2.54
10.29
8.13
BSC
.380
.270
.100
.405
.320
BSC
L
L1
L2
L3
L4
14.61
2.29
1.02
1.27
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
.575
.090
.040
.050
.625
.110
.055
.070
.015
0
0
R
0.46
0.74
.018
.029
Pins:
1 - Gate
3 - Emitter
2 - Collector
4 - Collector
Bottom Side
TO-220 AB Dimensions
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
12
16
S
C
ies
C
oes
C
res
1750
90
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
31
pF
I
C(ON)
V
GE
= 10V, V
CE
= 10V
90
A
Q
g
Q
ge
Q
gc
63
13
26
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
28
20
ns
ns
ns
ns
mJ
400
380
6.5
800
700
10.5
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
30
27
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.90
700
550
9.5
R
thJC
R
thCK
0.83
K/W
K/W
TO-220
0.5
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 47
Remarks: Switching
times
may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 47
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXGA 20N120
IXGP 20N120
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP20N120 IGBT
IXGA20N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGP4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGA7N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA20N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120B3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGA20N60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA24N120C3 功能描述:IGBT 模塊 40khz PT IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*