型號(hào): | IXGA12N60CD1 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 24A條一(c)|至263AA |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 168K |
代理商: | IXGA12N60CD1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGA15N120B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA |
IXGP12N60CD1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-220AB |
IXGP15N120B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-220AB |
IXGQ100N100Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
IXGQ150N100Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGA14N120B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Optimized for switching up to 35 KHz |
IXGA150N30TC | 功能描述:IGBT 晶體管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA15N100C | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1000V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA15N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGA15N120C | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |