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IXGQ100N100Y3	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ150N100Y3	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 150A I(C)
IXGQ150N60Y3	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 150A I(C)
IXGQ200N100Y3	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 200A I(C)
IXGQ200N60Y3	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)

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IXGQ100N100Y3

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)

IXGQ150N100Y3

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)

IXGQ150N60Y3

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C)

IXGQ200N100Y3

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 200A I(C)

IXGQ200N60Y3

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)

相關代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IXGP15N120C	功能描述:IGBT 30A 1200V TO-220AB RoHS:是類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGP16N60B2	功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP16N60B2D1	功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP16N60C2	功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP16N60C2D1	功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

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IXGP15N120C

功能描述:IGBT 30A 1200V TO-220AB RoHS:是類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件

IXGP16N60B2

功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXGP16N60B2D1

IXGP16N60C2

功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

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型號：	IXGP15N120B
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 30A I(C) \| TO-220AB
中文描述：	晶體管\| IGBT的\|正陳\| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展\| 30A條一（c）\| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)：	1/2頁
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代理商：	IXGP15N120B

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