- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362820 > IXGQ150N100Y3 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGQ150N100Y3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1KV交五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 150A一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | IXGQ150N100Y3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGQ150N60Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
| IXGQ200N100Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| IXGQ200N60Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| IXGQ25N100Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| IXGQ25N50Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 25A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IXGQ150N30TC | 功能描述:IGBT 晶體管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ150N30TCD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ150N60Y3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
| IXGQ170N30PB | 功能描述:IGBT 晶體管 360 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ180N33TC | 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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