- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362820 > IXGP12N60CD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXGP12N60CD1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 24A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | IXGP12N60CD1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGP15N120B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-220AB |
| IXGQ100N100Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| IXGQ150N100Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| IXGQ150N60Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
| IXGQ200N100Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGP12N60U1 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack |
| IXGP14N120B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Optimized for switching up to 35 KHz |
| IXGP15N100C | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1000V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP15N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGP15N120C | 功能描述:IGBT 30A 1200V TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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