參數(shù)資料
型號(hào)： IXFX48N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
中文描述： 48 A, 600 V, 0.135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 227K
代理商： IXFX48N60P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFK 48N60P IXFX 48N60P
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
100000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 300V
I
D
= 24A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 13. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.01
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX50N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX52N60Q2 Advanced Technical Information
IXFX55N50 HiPerRF Power MOSFETs
IXFX90N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻22mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXGA10N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX48N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX50N50 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX520N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX52N60Q2 功能描述:MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX55N50 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*