參數(shù)資料
型號： IXFX48N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
中文描述： 48 A, 600 V, 0.135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 227K
代理商： IXFX48N60P
2006 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
24
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
5V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
1
2
V
D S
- Volts
3
4
5
6
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 48A
I
D
= 24A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
0
20
40
60
80
100
120
140
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
IXFK 48N60P IXFX 48N60P
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PDF描述
IXFX50N50 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IXFX50N50 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXFX55N50 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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