參數(shù)資料
型號(hào)： IXFX30N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 30 A, 500 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： IXFX30N50Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.02
0.04
0.06
0.08
0.20
0.40
0.01
0.10
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
F = 1MHz
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0V
Vds=300V
I
D
=16A
I
G
=10mA
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXFK 30N50Q
IXFX 30N50Q
IXFK 32N50Q
IXFX 32N50Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IXFX32N100P 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX32N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX32N50 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX32N50Q 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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