參數(shù)資料
型號(hào)： IXFV26N60PS
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
中文描述： 26 A, 600 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS220SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 253K
代理商： IXFV26N60PS
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 300V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125
∫
C
T
J
= 25
∫
C
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
R
(
∫
C
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PDF描述
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IXFV30N60PS 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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