參數(shù)資料
型號(hào)： IXFT21N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
中文描述： 21 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 562K
代理商： IXFT21N50Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFH 21N50Q
IXFT 21N50Q
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 250V
I
D
= 10.5A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
I
D
- Amperes
20
25
30
35
40
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
60
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.01
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
-
o
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PDF描述
IXFH21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFT24N50 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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