參數(shù)資料
型號： IXFT21N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
中文描述： 21 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 562K
代理商： IXFT21N50Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFH 21N50Q
IXFT 21N50Q
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
14
21
S
C
iss
C
oss
C
rss
3000
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
420
pF
110
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
ns
V
GS
R
G
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
= 2.0
(External),
28
ns
51
ns
12
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
84
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
20
nC
35
nC
R
thJC
R
thCK
0.45
K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
21
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
84
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.3
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
μ
C
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
0.85
8
A
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A
1
A
2
4.7
2.2
2.2
5.3
2.54
2.6
.185
.087
.059
.209
.102
.098
b
b
1
b
2
1.0
1.65
2.87
1.4
2.13
3.12
.040
.065
.113
.055
.084
.123
C
D
E
.4
.8
.016
.819
.610
.031
.845
.640
20.80
15.75
21.46
16.26
e
L
L1
5.20
19.81
5.72
20.32
4.50
0.205
.780
0.225
.800
.177
P
Q
3.55
5.89
3.65
6.40
.140
0.232
.144
0.252
R
S
4.32
6.15
5.49
.170
242
.216
BSC
BSC
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
1 2 3
TO-247 AD (IXFH) Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFT24N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT26N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH26N50 1-Form-A solid state relay, bridge rectifier, Darlington transistor and optocoupler and zener diods- half wave
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT23N60Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT23N80Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT24N50 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT24N80P 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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