參數(shù)資料
型號： IXFT21N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
中文描述： 21 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 562K
代理商： IXFT21N50Q
2004 IXYS All rights reserved
98718B(02/04)
IXFH 21N50Q
IXFT 21N50Q
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5.5V
5V
6.5V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
5V
4.5V
5.5V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
1
2
V
D S
- Volts
3
4
5
6
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
4.5V
5.5V
6V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 21A
I
D
= 10.5A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
3
6
9
12
15
18
21
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
相關PDF資料
PDF描述
IXFH21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFT24N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT26N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH26N50 1-Form-A solid state relay, bridge rectifier, Darlington transistor and optocoupler and zener diods- half wave
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參數(shù)描述
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IXFT24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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