參數(shù)資料
型號： IXFT15N80Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 15 A, 800 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： IXFT15N80Q
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
100
Pulse Width - Seconds
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
C
10
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
10
20
30
40
50
Gate Charge - nC
0
20
40
60
80
100
120
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 400 V
I
D
= 7.5 A
I
G
= 10 mA
f = 1MHz
T
C
= 25
O
C
10
ms
100
ms
DC
1 ms
T
J
= 125
O
C
Single Pulse
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
D=0.5
T
J
= 25
O
C
0.1 ms
60
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 7. Gate Charge
Figure 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure10. Forward Bias Safe Operating
Area
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
相關PDF資料
PDF描述
IXFH15N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻0.60Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFT24N50 HiPerFET Power MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXFT16N80P 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT16N90Q 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT17N80Q 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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