參數(shù)資料
型號(hào)： IXFT15N80Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 15 A, 800 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 111K
代理商： IXFT15N80Q
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
GS
- Volts
2
3
4
5
6
7
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
4
8
12
16
20
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
I
D
= 7.5A
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
4
8
12
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V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
4
8
12
16
20
4V
V
GS
= 10V
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
5V
5V
4V
T
J
= 25
o
C
I
D
= 15A
T
J
= 25
O
C
IXFH14N80
IXFH15N80
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
T
J
= 125
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
Figure 3. R
DS(on)
normalized to value at I
D
= 12A
Figure 4. R
DS(on)
normalized to value at I
D
= 12A
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH15N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.60Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFT24N50 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT16N120P 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT16N80P 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT16N90Q 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT17N80Q 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT18N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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