參數(shù)資料
型號： IXFR4N100Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
中文描述： 3.5 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： IXFR4N100Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
Notes 2, 3
1.5
2.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
1050
120
30
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
17
15
32
18
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 2
(External), Notes 2, 3
Q
g(on)
Q
gs
39
nC
nC
V
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
Notes 2, 3
9
Q
gd
22
nC
R
thJC
1.57
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
4
A
I
SM
Repetitive; Note 1
16
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Notes 2, 3
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
0.52
μ
C
I
RM
1.8
A
I
F
= 50A,-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse width limited by T
2. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
3. I
T
= 2 A
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
5.45 BSC
19.81
3.81
5.59
4.32
Inches
Min.
.190
.090
.075
.045
.075
.115
.024
.819
.620
.215 BSC
.780
.150
.220 0.244
.170
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
Max.
.205
.100
.085
.055
.084
.123
.031
.840
.635
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
20.32
4.32
6.20
4.83
.800
.170
.190
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
ISOPLUS 247
TM
Outline
IXFR
4N100Q
See IXFH4N100Q data sheet for
Characterisitic curves.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR50N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR55N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFR58N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻40mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻28mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR80N15Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻22.5mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR50N50 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR52N30Q 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR55N50 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR55N50F 功能描述:MOSFET F -Class HiPerRF Capable MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR58N20 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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