參數(shù)資料
型號： IXFN72N55Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 72 A, 550 V, 0.072 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 560K
代理商： IXFN72N55Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN 72N55Q2
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
100000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
40
80
Q
G
- nanoCoulombs
120
160
200
240
280
V
G
V
DS
= 275V
I
D
= 36A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
20
40
60
I
D
- Amperes
80
100
120
140
160
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN75N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓480V,導通電阻45mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN90N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導通電阻33mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN73N30 功能描述:MOSFET 300V 73A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN73N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN73N30Q 功能描述:MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN75N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48 功能描述:MOSFET 480V 80A 45Rds SNGL DIE MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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