參數(shù)資料
型號： IXFN72N55Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 72 A, 550 V, 0.072 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 560K
代理商： IXFN72N55Q2
2003 IXYS All rights reserved
IXFN 72N55Q2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
2
4
6
8
V
D S
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
8V
5V
6V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
9
18
27
36
45
54
63
72
0
2
4
6
8
10
12
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
9
18
27
36
45
54
63
72
0
1
2
3
4
5
6
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs.
Junction Temperature
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 72A
I
D
= 36A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
相關PDF資料
PDF描述
IXFN73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN75N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓480V,導通電阻45mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN90N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導通電阻33mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN73N30 功能描述:MOSFET 300V 73A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN73N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN73N30Q 功能描述:MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN75N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48 功能描述:MOSFET 480V 80A 45Rds SNGL DIE MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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