參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN55N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 55 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IXFN55N50
2002 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
30
40
50
60
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
V
GS
- Volts
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
I
D
0
20
40
60
80
100
I
D
I
D
- Amperes
0
20
40
60
80
100
120
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
24
I
D
0
20
40
60
80
100
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
24
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
6V
6V
5V
I
D
= 55A
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
I
D
= 27.5A
R
D
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
O
C
IXF_55N50
IXF_50N50
T
J
= 25
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3.
R
DS(on)
normalized to 0.5
I
D25
D
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 0.5
I
D25
J
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
IXFK50N50
IXFN50N50
IXFK55N50
IXFN55N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN55N50F HiPerRF Power MOSFETs
IXFN50N25 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFK50N50 CAP 0.18UF 50V 10% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
IXFK60N55Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFX60N55Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN55N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN56N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN56N90P_11 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN58N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET
IXFN60N60 功能描述:MOSFET 600V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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