參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN44N80P
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 39 A, 800 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： IXFN44N80P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN 44N80P
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
100000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Q
G
- NanoCoulombs
V
G
V
DS
= 400V
I
D
= 22A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125
°
C
25
°
C
- 40
°
C
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
10
20
30
I
D
- Amperes
40
50
60
70
80
g
f
T
J
= - 40
°
C
25
°
C
125
°
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
20
40
60
80
100
120
140
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
S D
- Volts
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
I
S
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
0.01
0.10
1.00
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
R
(
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導(dǎo)通電阻110mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN58N50 High Current Power MOSFET
IXFN60N60 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻75mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN72N55Q2 HiPerFET Power MOSFET
IXFN73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN44N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50 功能描述:MOSFET 500V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN48N50Q 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50U2 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*