參數(shù)資料
型號： IXFN44N80P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 39 A, 800 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： IXFN44N80P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXFN 44N80P
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, Note 1
27
43
S
C
iss
C
oss
C
rss
12
nF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
910
30
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
28
22
75
27
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 1
Ω
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
200
67
65
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCS
0.18
°
C/W
0.05
°
C/W
Source-Drain Diode Characteristic Values
T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
44
A
I
SM
Repetitive
100
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 22 A, -di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
250
ns
0.8
μ
C
8.0
A
Notes: 1.
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2%
(M4 screws (4x) supplied)
SOT-227B (IXFN) Outline
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
7,005,734 B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導(dǎo)通電阻110mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN58N50 High Current Power MOSFET
IXFN60N60 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻75mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN72N55Q2 HiPerFET Power MOSFET
IXFN73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN44N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50 功能描述:MOSFET 500V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN48N50Q 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50U2 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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