參數(shù)資料
型號： IXFN38N100Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
中文描述： 38 A, 1000 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 565K
代理商： IXFN38N100Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN38N100Q2
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
0
40
80
120
160
200
240
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
D S
= 500V
I
D
= 19A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
V
GS
- Volts
I
D
T
J
= 120
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.2
0.4
0.6
V
SD
- Volts
0.8
1
12
I
S
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
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