參數(shù)資料
型號： IXFN38N100Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
中文描述： 38 A, 1000 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 565K
代理商： IXFN38N100Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN38N100Q2
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
24
40
S
C
iss
C
oss
C
rss
7200
950
170
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External)
28
57
15
ns
ns
ns
Q
G(on)
Q
GS
Q
GD
250
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
nC
nC
105
R
thJC
R
thCK
0.14
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
38
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
152
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
300
ns
Q
RM
1.4
μ
C
I
RM
9
A
I
= 25A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
miniBLOC, SOT-227 B Outline
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
相關PDF資料
PDF描述
IXFN39N90 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IXFN40N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFK40N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFK43N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFN43N60 HiPerFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN38N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
IXFN38N80Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN39N90 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN40N110P 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN40N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
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