參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN38N100Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
中文描述： 38 A, 1000 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 565K
代理商： IXFN38N100Q2
2003 IXYS All rights reserved
IXFB38N100Q2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
- Volts
I
D
V
G S
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
4
8
12
16
20
24
V
DS
- Volts
I
D
V
G S
= 10V
6V
5V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- Volts
I
D
V
G S
= 10V
5V
6V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs.
Junction Temperature
0.4
0.7
1
13
16
19
2.2
2.5
2.8
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 38A
I
D
= 19A
V
G S
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.8
1
12
14
16
18
2
2.2
2.4
2.6
0
10
20
30
I
D
- Amperes
40
50
60
70
80
R
D
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
G S
= 10V
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PDF描述
IXFN39N90 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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IXFN40N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
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