參數(shù)資料
型號： IXFN200N06
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓60V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 200 A, 60 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 188K
代理商： IXFN200N06
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
I
C
- Amperes
0
100
200
300
400
500
600
T
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
J
= 25
o
C
I
D
- Amperes
0
100
200
300
400
500
600
R
D
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
V
GS
- Volts
2
4
6
8
10
12
I
D
0
100
200
300
400
500
600
V
DS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
100
200
300
400
500
600
6V
7V
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
T
J
=25
O
C
V
GS
=10V
I
D
= 75A
V
GS
= 10V
V
DS
> 4R
DS(ON)
5V
T
J
=25
O
C
V
- Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
D
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
= 25
o
C
V
GS
=10V
9V
8V
7V
6V
5V
T
J
= 25
O
C
V
GS
=10V
9V
8V
T
J
=150
O
C
T
J
=100
O
C
T
J
= 100
o
C
T
J
= 150
o
C
IXFN 200N06 IXFN 180N07 IXFN 200N07
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Extended Output Characteristics
Figure 6. Normalized R
DS(on)
vs. Junction
Temperature
Figure 3. Admittance Curves
Figure 5. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value
Figure 4. Transconductance vs.
Drain Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN200N07 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN180N10 CAP 1200PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFN180N06 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN180N15P PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFN180N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻10mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN200N07 功能描述:MOSFET 70V 200A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN20N120 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN20N120P 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN210N20P 功能描述:MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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