參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN180N07
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導(dǎo)通電阻7mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 180 A, 70 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 188K
代理商： IXFN180N07
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Time - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
- Volts
0
10
20
30
40
p
p
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
Crss
Coss
Ciss
V
SD
- Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
D
0
100
200
300
400
T
J
=25
O
C
T
J
=150
O
C
Gate Charge - nCoulombs
0
100
200
300
400
500
600
700
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Case Temperature -
O
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
50
100
150
200
250
V
DS
= 40V
I
D
= 38A
I
G
= 1mA
T
J
=100
O
C
F = 1MHz
T
J
=150
O
C
IXFN200
IXFN180
IXFN 200N06 IXFN 180N07 IXFN 200N07
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure 10. Source-Drain Voltage vs. Source Current
Figure 7. Gate Charge
Figure 9. Capacitance Curves
Figure 8. Drain Current vs. Case
Temperature
(Terminal current limit)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN200N06 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓60V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN200N07 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN180N10 CAP 1200PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFN180N06 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN180N15P PolarHT HiPerFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXFN180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N20 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:700W ;RoHS Compliant: Yes
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