參數(shù)資料
型號： IXFN180N07
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導(dǎo)通電阻7mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 180 A, 70 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： IXFN180N07
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
60
80
S
C
iss
C
oss
C
rss
9000
4000
2400
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
60
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
100
60
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
480
60
240
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.24
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
200N06/200N07
180N07
200
180
A
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
600
A
V
SD
I
= 100 A, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.7
V
t
rr
150
250
ns
Q
RM
0.7
C
I
RM
9
A
I
= 25 A
-di/dt = 100 A/ s,
V
R
= 50 V
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXFN 200N06 IXFN 180N07 IXFN 200N07
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN200N06 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓60V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN200N07 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN180N10 CAP 1200PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFN180N06 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN180N15P PolarHT HiPerFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN180N10 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N20 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN180N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:700W ;RoHS Compliant: Yes
IXFN180N25T 功能描述:MOSFET 155A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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