參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN180N06
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： HiPerFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 84K
代理商： IXFN180N06
1999 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
25
50
75
100
125
V
DS
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
D
0
50
100
150
200
V
GS
- Volts
2
4
6
8
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
D
- Amperes
0
50
100
150
200
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
DS
- Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
D
0
50
100
150
200
5V
V
GS
= 10V
V
GS
=10V
9V
8V
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
6V
6V
5V
T
J
= 25
o
C
I
D
=180A
V
GS
=10V
V
GS
=15V
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
o
C
V
GS
=10V
9V
8V
T
J
= 125
O
C
7V
7V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
I
D
=90A
Terminal Current Limit
IXFN 180N10
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 15A/25
O
C vs. I
D
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 15A/25
O
C vs. T
J
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PDF描述
IXFN180N15P PolarHT HiPerFET Power MOSFET
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IXFN230N10 Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN24N100 HiPerRF Power MOSFETs
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IXFN180N10 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXFN180N20 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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