參數(shù)資料
型號： IXFK90N20QS
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 90 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, TO-264SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： IXFK90N20QS
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
40
50
S
C
iss
C
oss
C
rss
6800
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1620
pF
480
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
31
ns
82
ns
12
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
190
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
40
nC
90
nC
R
thJC
R
thCK
0.26
K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
90
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
360
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.3
V
t
rr
200
ns
Q
RM
1.4
μ
C
I
RM
10
A
I
F
= 45A,-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
4.83
2.29
1.91
5.21
2.54
2.16
.190
.090
.075
.205
.100
.085
1.14
1.91
2.92
1.40
2.13
3.12
.045
.075
.115
.055
.084
.123
0.61
20.80
15.75
0.80
21.34
16.13
.024
.819
.620
.031
.840
.635
e
L
L1
5.45 BSC
19.81
3.81
.215 BSC
.780
.150
20.32
4.32
.800
.170
Q
R
5.59
4.32
6.20
4.83
.220 0.244
.170
.190
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
PLUS 247
TM
Outline
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXFK 90N20Q
IXFX 90N20Q
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH9N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT9N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFJ13N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.4Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFJ32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.15Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFJ40N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻80mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK90N30 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK94N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK98N50P3 功能描述:MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFL100N50P 功能描述:MOSFET tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFL10N60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
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