參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK27N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.30Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 27 A, 800 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： IXFK27N80
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
20
40
60
80
100
Gate Charge - nC
0
100
200
300
400
500
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Vds= 400V
= 27A
=10mA
I
G
= 1mA
Coss
T
J
= 25
O
C
V
DS
I
D
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
Ciss
Crss
IXFK 25N80
IXFN 25N80
IXFK 27N80
IXFN 27N80
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
Pulse Width - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
R
J
0.001
0.01
0.1
1
Single pulse
D = Duty Cycle
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D=0.2
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