參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK27N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.30Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 27 A, 800 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： IXFK27N80
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
16
28
S
C
iss
C
oss
C
rss
7930
630
146
8400 9740
712
192
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
790
240
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
80
75
40
ns
ns
ns
ns
V
GS
R
G
= 1
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
320
38
120
350
46
130
400
56
142
nC
nC
nC
R
thJC
R
thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
0.25
K/W
K/W
0.15
R
thJC
R
thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.24
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
27N80
25N80
27
25
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
27N80
25N80
108
100
A
A
V
SD
I
F
= 100 A, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V T
J
=25 C
250
400
ns
ns
C
A
T
J
=125 C
T
J
=25 C
Q
RM
I
RM
2
17
IXFK 25N80
IXFN 25N80
IXFK 27N80
IXFN 27N80
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
,
I
D
D25
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PDF描述
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參數(shù)描述
IXFK27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK27N80Q_02 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK28N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFK30N100Q2 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK30N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
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