參數(shù)資料
型號： IXFK170N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 170 A, 100 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： IXFK170N10
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
1
1 0
1 00
I
D
1
1 0
1 00
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
V
DS
- Volts
0
10
20
30
40
C
0
3000
6000
9000
12000
15000
18000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
50
100
150
200
250
300
Gate Charge - nC
0
100
200
300
400
500
600
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
Vds= 50V
I
D
= 85A
I
G
=10mA
f = 1MHz
170
T
C
= 25
O
C
10
ms
1 ms
100
ms
DC
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
IXFK170N10
IXFN170N10
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
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PDF描述
IXFN170N10 HiPerFET Power MOSFET
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IXFK21N100F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
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參數(shù)描述
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IXFK170N20T 功能描述:MOSFET 170A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK180N07 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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