參數(shù)資料
型號： IXFK170N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 170 A, 100 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： IXFK170N10
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
50
100
150
200
250
300
V
GS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
I
D
=85A
I
D
- Amperes
0
50
100
150
200
250
300
R
D
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
50
100
150
200
250
300
5V
V
GS
= 10V
V
GS
=10V
9V
8V
7V
T
J
=125
O
C
V
GS
=10V
T
J
=25
O
C
6V
6V
5V
T
J
= 25
o
C
I
D
=170A
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
o
C
V
GS
=10V
9V
T
J
= 125
O
C
7V
8V
IXFK170N10
IXFN170N10
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. T
J
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN170N10 HiPerFET Power MOSFET
IXFK180N07 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導(dǎo)通電阻6mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK180N085 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓85V,導(dǎo)通電阻7mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK180N10 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓100V,導(dǎo)通電阻8mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK21N100F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
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參數(shù)描述
IXFK170N10P 功能描述:MOSFET PolarHT HiperFET 100v, 170A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK170N20P 功能描述:MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK170N20T 功能描述:MOSFET 170A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK180N07 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK180N085 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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