參數(shù)資料
型號： IXFJ13N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.4Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： I3PAK-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： IXFJ13N50
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 7. Gate Charge
Figure 9. Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure10. Forward Bias Safe Operating
Area
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
S
0
5
10
15
20
25
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.01
0.10
1.00
D = 0.2
D=0.02
D=0.01
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
Single Pulse
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
C
rss
C
oss
C
iss
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
V
G
-
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
= 6.5A
I
G
= 10mA
V
DS
= 250V
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
0.1
1
10
100
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Limited by R
DS(on)
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
IXFJ 13N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFJ32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.15Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFJ40N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻80mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK100N10 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK100N25 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK110N06 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFJ32N50Q 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFJ36N30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET
IXFJ40N30 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK100N10 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK100N-10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*